GJB 2919-1997 红外光学用锗规范
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ID： |
7A207FBDEC964667AFCACBCE0F43AC26 |
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文件大小(MB)： |
1.2 |
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17 |
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日期： |
2024-7-14 |
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中华人民共和国国家军用标准,FL 5971 GJB 2919-97,红外光学用错规范,Specification for germanium used in infrared optics,1997-05-23 发布1997-12-01 实施,国防科学技术工业委员会批准,中华人民共和国国家军用标准,红外光学用铸规范,Specification for germanium used in infrared optics GJB 2919-97,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了红外光学用错晶体（以下简称光学楮）的要求、质量保证规定和交货准备等,1.2 适用范围,本规范适用于制造红外光学部件用的褚单晶和诸多晶产品,1.3 产品分类,131分类,产品按光学错晶体种类分为错单晶和倍多晶，按生产方法分为直拉法和定向凝固法光学,错，按形状分为锭状、圆片状、透镜状、矩形状和其它形状毛坯,13.2 牌号,光学错的牌号表示为；,IR/Q — qGe,-T P----------------- 表示倍单晶或错多晶,---------------------表示铺晶体的生产方法,------------------------ 表示红外光学用O,牌号中的符号含义应符合GB/T 14844的规定。DS表示定向凝固法,2引用文件,GB/T 1550-1996非本征半导体材料导电类型测试方法,GB/T 1552-1995硅、楮单晶电阻率测定 直排四探针法,GB/T 14844-93半导体材料牌号表示方法,GJB 179-86计数抽样检查程序及表,GJB 1487-92激光光学元件测试方法,3要求,3.1 制造光学褚用的错晶锭的电学性能,3.1.1 导电类型,错晶锭的导电类型为酊型,国防科学技术工业委员会1997-05-23发布 1997-12-01实施,1,GJB 2919-97,3.1.2 电阻率,错晶锭在(23±0.5)C时电阻率(p)为5-40n-cmo,3.2 光学错性能,3.2.1 电学性能,光学储的电学性能应符合3.1条的规定,3.2.2 光学性能,3.2.2.1 透射比,光学楮在波长2.5.14.Ojxm的范围内应透射红外辐射。对于一块厚10mm、两面抛光、,两面平行的晶片，在3.0、m处的透射比应不小于46%,在10.621处应不小于45%。透射比,曲线如图1,(*),±i,探照.,4000 3500 3000 2500 2000 1800 1600 1400 1200 1000 800 600,:波数(cmT),图I透射比曲线,3.2.2.2 吸收系数,光学楮的吸收系数在3.0*m处应不大于O.OlcmT,在10.6Rm处应不大于0.03cm-\,3.2.2.3 折射率,光学错的折射率应符合表1规定,3.2.2.4 折射率均匀性偏差,光学错的折射率均匀性偏差(直径250mm,干波长1。.6日加处)应小于5 x IO、,2,GJB 2919-97,表1光学错的折射率（20 士 D匕,波长,pm 折射率允许偏差,3.5 4.0302,±0.0004,4 4.0226,5 4.0141,6 4.0094,7 4.0069,8 4.0047,9 4.0034,10 4.0028,10.6 4.0027,3.3 断裂模量,光学错的断裂模曷应不小于75Mpa,3.4 尺寸及尺寸允许偏差,光学错的尺寸及尺寸允许偏差，由承制方和订购方商定或按图样规定,3.5 外观质量,光学楮的棱角、边缘和全部表面不应有后步加工难以除去的缺口、缺角、裂纹和孔洞,4质量保证规定,4.1 桧验责任,除合同或订单中另有规定外，承制方应负责完成本规范规定的所有检验，必要时订货方或,上级鉴定机构有权对本规范所列的任一检验项目进行检查,4.1.1 合格责任,所有产品必须符合本规范第3章和第5章的所有要求。若合同中包括本规范未规定的检,验要求,承制方还应保证所提交验收的产品符合合同要求,4.2 质量一致性检验,4.2.1 检验条件,除另有规定外，应在下列环境条件下进行检验；,a）环境温度J5-35C;,b）相对湿度：45%.75%;,c）大气压力：86~106kPa0,4.2.2 组批,光学信应成批提交验收。每批由同一牌号、相同电阻率范围、相同几何尺寸范围的产品组,成,4.2.3 检验项目和取样,3,GJB 2919-97,4.2.3.1 光学错用的楮晶锭的检验项目、检验位置应符合表2的规定。当订货合同另有规定,时，按合同执行°,表2错晶锭的检验项目、检验位置,检验项目检验位置测点数量要求条文检验方法条文,导电类型错晶锭上、下端面,沿不同直径,每厘米一点,3.1.1 4.3.1,电阻率错晶锭上、下端面按4.3.2要求3.1,2 4.3.2,4.2.3.2光学错的检验项目、取样方式应符合表3的规定,表3光学错的检验项目、取样方式,检验项目取样方式要求条文检验方法条文,外形尺寸抽检3.4 437,外观质量全检3.5 4.3.8,透射比每年从多批光学错中3.2.2.1 4.3.4,吸收系数随机抽取三个试样进3.2.2.2 4.3.4,断裂模量行检验3.3 4.3.3,折射率,供需双方商定,3.2.2.3 4.3.5,折射率均匀性偏差3.2.2.4 4.3.6,4.2.3.3 光学储的导电类型、电阻率按制造光学储用的错晶锭的检测结果,4.2.3.4 光学楮外形尺寸检验抽样按GJB 179的一般检验水平II 一次正常抽样方案进行,4.2.4检验结果的判定,4.2.4.1 楮晶锭的导电类型、电阻率其中有一项不合格，整锭不合格,4.2,4.……
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